3.6金屬互連技術

                                                                            上傳人:仙*** 文檔編號:182183376 上傳時間:2023-01-20 格式:PPT 頁數:15 大?。?36.53KB
                                                                            收藏 版權申訴 舉報 下載
                                                                            3.6金屬互連技術_第1頁
                                                                            第1頁 / 共15頁
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                                                                            1、3.6 金屬布線技術金屬布線技術金屬材料作用:金屬材料作用:AlAlAlP SUB接觸線接觸線互連互連線線焊盤焊盤半導體與金屬線間的接觸半導體與金屬線間的接觸 半導體與金屬線接觸半導體與金屬線接觸:歐姆接觸歐姆接觸和和肖特基接觸肖特基接觸 理想歐姆接觸:理想歐姆接觸:電流隨外加電壓線性變化。為了電流隨外加電壓線性變化。為了將盡可能多的電流從器件傳輸給電路中的各種電將盡可能多的電流從器件傳輸給電路中的各種電容充電,接觸電阻占器件電阻的比例也必須小。容充電,接觸電阻占器件電阻的比例也必須小。肖特基接觸:肖特基接觸:接近理想的二極管,正偏時它們的接近理想的二極管,正偏時它們的電阻應很低,而反偏時,電

                                                                            2、阻則為無窮大。電阻應很低,而反偏時,電阻則為無窮大。在集成電路片上淀積金屬薄膜,并通在集成電路片上淀積金屬薄膜,并通過光刻技術形成布線,把互相隔離的元件過光刻技術形成布線,把互相隔離的元件按一定要求互連成所需電路的工藝。按一定要求互連成所需電路的工藝。金屬互連金屬互連集成電路金屬層材料的要求集成電路金屬層材料的要求n電阻率低;電阻率低;n能與元件的電極形成良好的低歐姆接觸;能與元件的電極形成良好的低歐姆接觸;n與二氧化硅層的粘附性要好;與二氧化硅層的粘附性要好;n便于淀積和光刻加工形成布線等。便于淀積和光刻加工形成布線等。3.6.1 3.6.1 常用的金屬化材料常用的金屬化材料n 鋁的電阻率低

                                                                            3、,導電性好;鋁的電阻率低,導電性好;n 鋁能與鋁能與N+和和 P+的鍺和硅同時形成良好的歐姆接觸;的鍺和硅同時形成良好的歐姆接觸;n 對二氧化硅的粘附性良好;對二氧化硅的粘附性良好;n 鋁便于蒸發淀積形成薄膜和光刻腐蝕加工形成布線。鋁便于蒸發淀積形成薄膜和光刻腐蝕加工形成布線。1.Al1.Al優點優點長期以來鋁一直是集成電路中廣泛使用的金屬互連材料。長期以來鋁一直是集成電路中廣泛使用的金屬互連材料。n鋁和硅間產生固鋁和硅間產生固-固擴散固擴散 集成電路封裝時集成電路封裝時400400500500的溫度,的溫度,SiAlSiAl中,溶解度達中,溶解度達0.5-1%0.5-1%,會使,會使SiAl

                                                                            4、SiAl界面出現孔穴。界面出現孔穴。Al Si Al Si 中,硅半導體中出現鋁尖峰,使電路失效。中,硅半導體中出現鋁尖峰,使電路失效。n鋁不能承受高溫處理鋁不能承受高溫處理 鋁和硅接觸的最低共熔點為鋁和硅接觸的最低共熔點為577577。布線之后,硅片的加。布線之后,硅片的加 工溫度受到限制。工溫度受到限制。n鋁存在電遷移現象鋁存在電遷移現象缺點缺點鋁電遷移鋁電遷移 在集成電路中,隨著集成度的提高,要求金屬引在集成電路中,隨著集成度的提高,要求金屬引線具有越來越小的面積。當通過線具有越來越小的面積。當通過Al布線的電流密布線的電流密度超過度超過106A/cm2時,電流的傳輸將引起離子位移,時,

                                                                            5、電流的傳輸將引起離子位移,即即Al 原子在導電電子的作用下,沿晶界邊界向高原子在導電電子的作用下,沿晶界邊界向高電位端位移,結果,金屬化中高電位處出現金屬電位端位移,結果,金屬化中高電位處出現金屬原子堆積,電位低處出現空洞,導致開路原子堆積,電位低處出現空洞,導致開路。加載之前加載之前加載加載200,10000A/mm22.Al-Si-Cu合金合金n鋁和硅間產生固鋁和硅間產生固-固擴散固擴散n鋁不能承受高溫處理鋁不能承受高溫處理n鋁存在電遷移現象鋁存在電遷移現象Al克服鋁和硅間產生固克服鋁和硅間產生固-固擴散固擴散:在在Al中摻入中摻入12的的Si,可以防止熱處理時硅向鋁中的溶入可以防止熱處理

                                                                            6、時硅向鋁中的溶入??朔X電遷移:克服鋁電遷移:在在Al中摻入中摻入24的的Cu,Cu在晶界處在晶界處 聚集,使電遷移效應減低一個數量級。聚集,使電遷移效應減低一個數量級。3.6.2 多層布線n集成電路的金屬互連技術,隨著集成度的提高,也集成電路的金屬互連技術,隨著集成度的提高,也從簡單向復雜、從單層向多層發展。大規模集成電路從簡單向復雜、從單層向多層發展。大規模集成電路中,兩層和兩層以上的金屬布線已得到廣泛應用。中,兩層和兩層以上的金屬布線已得到廣泛應用。器件制備器件制備絕緣介質層沉積絕緣介質層沉積平坦化平坦化接觸孔接觸孔金屬化金屬化最后一層最后一層生成鈍化層生成鈍化層結束結束YN平坦化平坦化化學機械拋光:化學機械拋光:是用化學和機械方法除去薄是用化學和機械方法除去薄 膜平整表面的一種制造工藝膜平整表面的一種制造工藝。這種工藝用于這種工藝用于 減少晶片表面的起伏減少晶片表面的起伏.晶片晶片(Wafer)研磨墊研磨墊(Pad)晶片保持器晶片保持器(Carrier)研磨漿研磨漿(Slurry)轉動軸轉動軸拋光臺拋光臺(Platen)BPSGP 襯底襯底P-井井N-井井P 襯底襯底P-井井N-井井BPSG拋光后拋光后作業:作業:集成電路工藝主要分為哪幾大類?集成電路工藝主要分為哪幾大類?每一類中包括哪些主要工藝?每一類中包括哪些主要工藝?并簡述各工藝的主要作用。并簡述各工藝的主要作用。

                                                                            展開閱讀全文
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